积塔半导体联手英飞凌，攻下嵌入式存储新高地

4 月 2 日，积塔半导体在上海举办 2026 半导体技术创新研讨会，会上积塔半导体与英飞凌正式签署项目合作协议，双方将在嵌入式非易失存储领域展开深度技术协同，共同提升特色工艺代工核心能力。

本次研讨会以 “共创价值、协同增长” 为主题，汇聚汽车、具身智能、芯片设计等领域260 余名产业链伙伴，围绕技术创新与产业生态共建展开深度交流。联合电子、傅利叶集团、复旦大学等嘉宾，也在现场分享了电子电气架构、具身智能与新型存储器件的前沿趋势。

与会行业人士一致认为，晶圆代工竞争已从单纯产能与价格比拼，转向方案化服务能力的竞争，产业协同将成为未来发展的核心驱动力。

积塔半导体现已建成临港、徐汇两大生产基地，并通过德国汽车工业质量标准 A 级审核，拥有完整的车规级芯片制造资质。公司在车规级 SiC MOSFET、高压 IGBT、先进 BCD 及 40/28nm 逻辑工艺等领域均实现关键突破，可为客户提供高品质晶圆制造服务。

在存储技术布局上，积塔半导体已形成eFlash、SONOS、RRAM 三条技术路线并行发展格局。其中 SONOS 技术工艺兼容性强、集成成本低、量产数据成熟，可进一步满足高可靠与成本敏感场景需求。公司同时展示了数模混合平台与综合代工能力，致力打造 “存储 + 控制 + 驱动 + 功率” 一站式方案化代工服务。

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